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Imaging the nanoscale phase separation in vanadium dioxide thin films at terahertz frequencies

机译:成像二氧化钒薄膜的纳米级相分离   太赫兹频率

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摘要

We use apertureless scattering near-field optical microscopy (SNOM) toinvestigate the nanoscale optical response of vanadium dioxide (VO2) thin filmsthrough a temperature-induced insulator-to-metal transition (IMT). We compareimages of the transition at both mid-infrared (MIR) and terahertz (THz)frequencies, using a custom-built broadband THz-SNOM compatible with bothcryogenic and elevated temperatures. We observe that the character of spatialinhomogeneities in the VO2 film strongly depends on the probing frequency. Inaddition, we find that individual insulating (or metallic) domains have atemperature-dependent optical response, in contrast to the assumptions of aclassical first-order phase transition. We discuss these results in light ofdynamical mean-field theory calculations of the dimer Hubbard model recentlyapplied to VO2.
机译:我们使用无孔散射近场光学显微镜(SNOM)通过温度诱导的绝缘体到金属的转变(IMT)研究了二氧化钒(VO2)薄膜的纳米级光学响应。我们使用与低温和高温兼容的定制宽带THz-SNOM,比较中红外(MIR)和太赫兹(THz)频率下的过渡图像。我们观察到VO2薄膜中空间不均匀性的特征在很大程度上取决于探测频率。此外,我们发现,与非典型一阶相变的假设相反,各个绝缘(或金属)域具有随温度变化的光学响应。我们根据最近应用于VO2的二聚体Hubbard模型的动态平均场理论计算来讨论这些结果。

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